专利名称：MEMS器件及其形成方法专利类型：发明专利
发明人：刘育嘉,朱家骅,彭荣辉,张贵松,郑钧文申请号：CN201310482360.5申请日：20131015公开号：CN104340953A公开日：20150211
摘要：本发明提供了一种用于形成MEMS器件的方法。该方法包括以下步骤：提供具有第一部分和第二部分的衬底；在衬底的第一部分上制造膜式传感器；以及在衬底的第二部分上制造体硅传感器。本发明还提供了一种MEMS器件。
申请人：台湾积体电路制造股份有限公司
地址：中国台湾新竹
国籍：CN
代理机构：北京德恒律治知识产权代理有限公司
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